As principais técnicas de caracterização de plasmas de corrosão são:
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A respeito de materiais magnéticos, condutores e isolantes, julgue os itens a seguir.
Um material, em função de suas características magnéticas, pode ser classificado como diamagnético, paramagnético, ferromagnético, antiferromagnético ou ferromagnético.
De uma tabela de capacidade de corrente de barras de cobre empregadas em subestações foram extraídos os seguintes valores: barra 1" × 1/8" - 250 A e barra 1" × 1/4" %u2212 400 A. A segunda barra não tem o dobro da capacidade da primeira devido ao fenômeno
Temperatura dos elétrons no plasma é maior em qual descarga?
NCE•
Se um material isolante projetado para 130ºC for utilizado em um equipamento que operará em regime contínuo a 140ºC, a vida útil desse material, em relação ao valor original, será reduzida para:
Julgue os itens que se seguem, acerca dos materiais utilizados para construção de componentes elétricos e eletrônicos.
Simplesmente por apresentar condutividade superior à do cobre, o silício é muito utilizado para a construção de transistores e de diodos, entre outros dispositivos.
A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de
Entre as principais vantagens do processo de implantação de íons, citam-se: 1) Pode ser executado em temperatura ambiente. 2) Apresenta controle preciso da profundidade de penetração do íon na amostra implantada. 3) Apresenta excelente controle da concentração de íons inseridos na amostra implantada. Quais dessas vantagens estão corretamente identificadas?
Um transistor “npn” tem uma área de emissor de 10 ?m x 10 ?m. As concentrações de dopantes são as seguintes: no emissor é igual a 1019 cm-3, na base é igual a 1018 cm-3 e no coletor é igual a 1015 cm-3. O transistor está operando a 27 °C e nessa temperatura a concentração de elétrons livres intrínsecos ni = 1010 cm-3. Para os elétrons em difusão na base, o comprimento da região de difusão é igual a 10 ?m e a constante de difusão é igual a 20 cm2/s. Para lacunas em difusão no emissor, o comprimento da região de difusão é igual a 0,6 ?m e a constante de difusão é igual a 1,8 cm2/s. Supondo que largura da base é igual a 2 ?m, pode-se afirmar que os valores da corrente de saturação e do ganho de corrente de emissor comum são iguais a, respectivamente: (nos cálculos, assuma que o valor da carga elétrica elementar é igual a 1,6 x 10-19 C)
Julgue os itens subseqüentes acerca de tiristores.
A função do gate é conduzir a corrente proveniente do catodo, fechando-se, dessa forma, um circuito pelo qual flui uma corrente maior que aquela proveniente do anodo.
Em determinados aparelhos de aquecimento que operam com resistência elétrica, é comum o uso de um tipo de material que tem dupla função: isolamento elétrico e condutor térmico. Trata-se
INPI•
Com relação às características de materiais utilizados na engenharia elétrica, julgue os itens seguintes.
Dentro de toda a extensão de um corpo formado por um condutor elétrico perfeito, o potencial elétrico é o mesmo em qualquer ponto do corpo.
Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar), é correto afirmar que:
A respeito de características e propriedades dos materiais utilizados em engenharia elétrica, julgue os itens que se seguem.
A permeabilidade magnética de um material está diretamente associada à dificuldade que uma força magnetomotriz tem para estabelecer fluxo magnético por esse material. Então, para uma força magnetomotriz conhecida, quanto maior for a permeabilidade magnética do material, menor será o fluxo magnético produzido pela força magnetomotriz.
Qual deve ser o ambiente interno no implantador de íons para executar o processo?
Com relação a materiais elétricos e magnéticos, julgue os itens a seguir.
Em materiais isolantes, quanto menor for a condutividade, menor será a energia necessária para excitar um elétron.
Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de 11B+, na primeira, 31P+, na segunda e 75As+, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.
Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície. O processo de deposição ora descrito é conhecido como
UFPR•
São materiais isolantes para uso industrial:
STF•
A respeito das características e das propriedades dos materiais condutores, isolantes e magnéticos, julgue os itens a seguir. Em um capacitor de placas planas e paralelas no qual a constante dielétrica do meio interplacas seja igual a 2,5, se o meio for substituído por outro de constante dielétrica 4, então, para que a capacitância não seja alterada, o espaçamento entre as placas deverá ser aumentado em 60%.
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