Questões de Concursos

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A respeito de características e propriedades dos materiais utilizados em engenharia elétrica, julgue os itens que se seguem.

A resistividade elétrica de um material é praticamente insensível a variações de temperatura. Sendo assim, há a preocupação em se considerar esse efeito apenas nos casos em que a variação de temperatura é superior a 500 ºC.

No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 1020 cm-3) em lâmina de Si?
Quando uma corrente elétrica de freqüência muito elevada atravessa um condutor ocorrerá a redução da área útil de sua seção transversal devido à tendência da corrente de se concentrar na periferia do condutor, de modo que a sua resistência torna-se mais elevada. Trata-se de um fenômeno conhecido por efeito
Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de 11B+, na primeira, 31P+, na segunda e 75As+, na terceira. Qual íon penetrará menos em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a menor profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

A respeito de dispositivos semicondutores, julgue os itens abaixo.

O UJT, assim como o TRIAC, é um dispositivo de três terminais, mas com apenas duas junções pn. Seus terminais recebem os nomes de base, coletor e emissor.

O método das quatro pontas é utilizado para
Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?
Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS?
Leia atentamente as afirmativas abaixo. I – A difusividade no silicone monocristalino e policristalino é controlada pela difusão no interior do grão. II – No polissilício, os grãos são pequenos e a difusão no interior dos grãos ocorre muito rapidamente. III – No silício policristalino, a difusividade é controlada pela difusão nos contornos de grão. Está(estão) correta(s) a(s) afirmativa(s)
Em um processo de encapsulamento de circuito integrado utilizando Solda de Fios, qual fio é utilizado na técnica de Solda de Bola (Ball bonding)?
A maior parte dos circuitos integrados atualmente comercializados é processada a partir de que tipo de substrato indicado abaixo. Assinale-o.
Quais os principais dopantes usados para a obtenção de regiões dos tipos p e n em substratos de Si?
Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para altas energias do feixe iônico incidente?
Maior seletividade em processos de corrosão de SiO2 em comparação com Si, é obtida com misturas de gases incluindo:
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