No que concerne a fatores de carga e de demanda, julgue os itens subsecutivos.

O fator de carga é a relação entre a energia aparente efetivamente fornecida a uma carga em determinado período de tempo e a energia aparente máxima que essa carga pode demandar em um período de tempo de igual duração.

Dois transformadores trifásicos estão ligados em paralelo, ligação delta-estrela, tensões 13,8 kV /220 V/127 V, 60 Hz, com potência individual nominal 1.000 kVA. Cada transformador alimenta um conjunto habitacional com 25 casas, cada casa com potência instalada igual a 50 kW, em rede trifásica, com fator de demanda médio equivalente a 0,7 e fator de potência médio de 0,5, atrasado.

A partir dessas informações e considerando que os transformadores fiquem permanentemente operando para atender as cargas, julgue os itens que se seguem.

Por meio do ensaio de curto-circuito no transformador, é possível calcular os parâmetros relativos ao ramo série do circuito equivalente do transformador submetido ao ensaio.

O diodo de junção possui duas regiões de materiais semicondutores dos tipos N e P. Esse dispositivo é amplamente aplicado em circuitos chaveados, como, por exemplo, fontes de alimentação, acionamentos para motores etc. A respeito das características terminais do diodo de junção, julgue os itens a seguir.

Para determinado referencial de circuito, se o potencial no catodo é superior ao potencial no anodo, então o dispositivo está reversamente ou inversamente polarizado.

Um engenheiro realizou alguns testes com um transistor MOSFET de canal N para tentar caracterizá-lo. Ele estudou a variação das tensões entre porta e fonte (VGS), e entre dreno e fonte (VDS). Sendo assim, analise as seguintes asserções feitas:

I) Para uma tensão VGS fixa, acima da tensão de limiar (Vt), variando-se a tensão VDS existe um valor desta última que faz com que o transistor entre na região de saturação.

II) Se VDS = VGS - Vt, a diferença de potencial entre porta e dreno fica igual à tensão de limiar (Vt), e o canal atinge sua largura máxima, ponto a partir do qual mudanças em VDS têm pouco efeito sobre o valor de corrente entre fonte e dreno, e o transistor se diz saturado.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O rendimento do amplificador classe C é maior que o dos amplificadores classes A, B e AB, de modo que seu ganho é máximo na frequência de ressonância.

A tabela abaixo apresenta cinco diferentes situações envolvendo uma rede elétrica com duas tensões diferentes, quatro lâmpadas com especificações diferentes e a condição de operação. 

Situação

Especificação da lâmpada

Rede elétrica

 Condição de operação

I 127 V / 100 W   220 V Sobretensão
II  127 V / 200 W  220 V Normal
III 220 V / 100 W 127 V Sobretensão
IV  220 V / 200 W 127 V  Subtensão
V 127 V / 200 W  127 V Normal

São corretas APENAS as situações

Em um sistema trifásico, as tensões de fase podem ser representadas por seus componentes simétricos. A respeito dessa temática, assinale a afirmação INCORRETA.

A política de contingência, dentro do contexto de desenvolvimento de circuitos integrados, visa principalmente:
Em relação ao Teorema de Thévenin para circuitos de corrente alternada senoidais, assinale a alternativa correta.

Alguns equipamentos elétricos necessitam de energia reativa para proporcionar o fluxo magnético requerido para o seu funcionamento. Por sua vez, o elevado consumo de energia reativa pode provocar significativa redução no fator de potência da instalação, requerendo a devida correção. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

Se o fator de potência de uma instalação for unitário, então todos os equipamentos elétricos na instalação consomem somente energia ativa.

Considere a situação hipotética de um fio condutor de comprimento infinito percorrido por uma corrente elétrica CC. Nessas condições, forma-se

No contexto da implementação física de um circuito integrado afirma-se o que segue. I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de interconexão sendo uma das causas de ruptura ou falha mecânica das mesmas. II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente de fuga (leakage) em geometrias com canal mais curto. III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a integridade do sinal.

Relativamente ao sistema elétrico trifásico é correto afirmar que ele exige apenas:

Uma impedância de 20? + ? / 3 [?] é aproximadamente equivalente a uma

Sabendo-se que, em um determinado setor de um sistema elétrico, a tensão é de 500kV e que a tensão de base adotada é de 800kV, pode-se afirmar que o valor dessa tensão no sistema por unidade (p.u.) é:

A respeito das características e princípios de operação de diodos e diodos Zener, julgue os itens subseqüentes.

Junções PN de baixa dopagem têm uma região de cargas espaciais mais extensa e maior probabilidade de ocorrência de ruptura por efeito Zener, comparadas a junções PN de maior dopagem.

A respeito de transformadores de potencial (TPs) e transformadores de força, julgue os itens a seguir.

A finalidade da inserção de ventiladores no radiador de transformadores de força é aumentar a sua capacidade de transmissão de potência.

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