Questões de Concursos

Qual o intervalo típico de densidade de cargas elétricas (elétrons e íons) em plasmas de alta densidade?

Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se: 1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes 2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs 3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:

Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?

Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício. I – O oxigênio e o vapor d’água se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício. II – A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício. III – A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação do nitreto de silício. A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)

As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.

Considere as afirmativas abaixo. I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial. II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido. III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

Diversas estruturas para medição de resistência são possíveis de serem implementadas. Cada um dos tipos de estrutura é mais adequado dependendo do que se deseja em termos de medidas e de precisão. Analise as sentenças a seguir, sobre a estrutura de resistência do tipo ponte: I) Esta estrutura é formada por 4 (quatro) terminais conectados a uma linha do material a ser caracterizado, dois terminais nas extremidades e dois terminais internos. II) A estrutura tipo ponte permite a medição de resistência de diversos tipos de materiais com alta precisão. III) A estrutura ponte, por realizar a medição de tensão em terminais por onde não se passa corrente, não sofre influência de resistências parasitárias. Estão corretas as sentenças:

O óxido depositado por spin-on, também conhecido como SOG, é amplamente utilizado porque I – apresenta propriedades dielétricas superiores ao dióxido de silício. II – pode ser obtido em baixas temperaturas. III – possui ótima aderência ao substrato de silício. Com relação às propriedades mencionadas acima, assinale a alternativa com a(s) propriedade(s) verdadeira(s) do SOG.

A remoção de fotorresiste por plasma (Ashing) é realizada utilizando descarga em quais gases?

Quais os principais produtos voláteis formados durante processo de corrosão de Si em plasmas fluorados?

O implantador de íons é do tipo:

A simulação de um processo de oxidação térmica sobre uma lâmina de Si apresentou uma espessura total de 1000 nm do óxido de Si obtido. Qual a espessura da camada superficial de Si que foi consumida durante o processo de oxidação?

Quando se utiliza a deposição química a partir da fase vapor enriquecida por plasma (PECVD)?

Leia atentamente as afirmativas abaixo: I – O modelo de Deal e Grove se aplica à oxidação do silício nos estágios iniciais. II – Pelo modelo de Deal e Grove, a oxidação ocorre após a difusão da espécie oxidante pelo óxido de silício até a interface do óxido de silício com o silício (interface Si/SiO₂), em que ocorre a reação de oxidação do silício. III – O modelo de Deal e Grove aplica-se apenas à oxidação úmida. IV – O modelo de Deal e Grove se aplica ao crescimento de óxido de silício no silício para espessuras do óxido de silício, a partir de 300 ângstrons. Assinale a alternativa com as afirmativas corretas.

Executando-se a espectroscopia de massa do íon secundário (SIMS) de uma estrutura implantada, consegue-se obter

Dentro do alvo (lâmina), os íons implantados sofrem colisões múltiplas com os elétrons e com os núcleos dos átomos da estrutura do substrato (lâmina). Essas colisões reduzem gradualmente a energia dos íons até freá-los totalmente. As reduções da energia dos íons incidentes devido às colisões com os elétrons e com os núcleos são denominadas, respectivamente:

Anisotropia em processos de corrosão por plasma é consequência de:

Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?

Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem. I – Dopagem por difusão. II – Dopagem in situ. III – Implantação iônica. Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.

Para medida de resistência de um material a ser caracterizado, pode ser utilizada uma estrutura formada por uma linha do material com contatos metálicos nos 2 (dois) terminais das extremidades. Para este tipo de medida, analise as assertivas a seguir: I) Este tipo de estrutura permite a medição de resistências com precisão. II) A medição com esta estrutura permite minimizar o efeito de resistências parasitárias. Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que: