Questões de Concursos

Quais as motivações para o emprego da implantação de íons em substituição à difusão em forno térmico? 1- Controle preciso da profundidade de junção através da energia de aceleração do feixe de íons. 2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons. 3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente. Está (ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s):

São tipos de plasma de alta densidade:

Que filmes são depositados por LPCVD (deposição química a partir da fase vapor executada em baixa pressão)?

1 -W e SiO₂.

2 - SiO₂ e Si₃N₄.

3 - Si₃N₄ e silício policristalino.

4 - Si₃N₄, SiO₂ e silício policristalino.

Qual a principal aplicação de plasmas na microeletrônica?

Qual a finalidade da fase do processo RIE chamada breakthrough?

Para uma junção “pn”, sabe-se que a capacitância de junção sem aplicação de tensão Cj0 é igual a 1,6 pF, que a tensão interna da junção V0 é igual a 0,5 V e que o coeficiente de graduação da junção é igual a 0,5. Ao ser aplicada uma tensão de polarização reversa de 1,5 V, a capacitância da junção será igual a:

Por que devemos realizar etapa de recozimento térmico após uma etapa de implantação de íons na obtenção de uma junção? 1 – Para corrigir os defeitos causados pela implantação de íons. 2 - Para a ativação elétrica dos dopantes implantados. 3 - Para oxidar a lâmina. 4 - Para definir a profundidade e o perfil de dopagem. Está (ão) correta (s) apenas a (s) afirmativa (s):

Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?

Qual material apresenta o melhor desempenho com relação à redução de impedâncias parasitárias quando utilizado para a fabricação de placas de circuito impresso para aplicações em altas frequência (2,4 GHz)?

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

Para detecção do ponto final de corrosão de lâminas de Si pela espectroscopia ótica, são utilizados sinais de emissão de radicais presentes no plasma:

Na corrosão tipo RIE (reactive ion etching), o efeito sinergético aparece por causa de interação de que fatores?

Que parte do sistema de implantação de íons faz a contagem de íons que penetram na lâmina e determina o final do processo?

A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é

Em processo RIE, com aumento da potência de gerador:

A maneira mais tradicional para medição da resistência de folha e que permite maior precisão é através da estrutura

Para o processo de corrosão química de um filme de SiO2 sobre o substrato de Si, qual solução deve ser usada?

Assinale a alternativa que contém somente processos que retirem o fotorresiste.

Executando-se a medida de quatro pontas sobre uma camada implantada e recozida, consegue-se obter

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?