Questões de Concursos

Qual o intervalo típico da pressão de gases utilizados para corrosão tipo RIE?

Analise as afirmativas abaixo: I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido. II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO₂). III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O₂) e água (H₂O), aumentando a taxa de crescimento do óxido. A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)

Leia as afirmativas abaixo acerca da oxidação de silício. I – Para obtenção de uma mesma espessura de óxido a uma dada temperatura, a oxidação seca é um processo mais rápido que a oxidação úmida. II – A oxidação úmida é realizada pela técnica spin-on. III – A oxidação consome silício do substrato, de maneira que a espessura total após a oxidação não é igual à soma da espessura inicial da camada de silício com a espessura da camada de óxido. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s)

A principal técnica utilizada para detecção de ponto final de corrosão de Si é:

Quais as principais vantagens de plasmas de alta densidade tipo ICP (acoplamento indutivo) em comparação com plasmas com acoplamento capacitivo, para processos de corrosão?

Para a execução de uma implantação de íons, os seguintes parâmetros de processo devem ser selecionados:

Para aumentar a anisotropia de corrosão por plasma RIE, é necessário:

As principais técnicas de caracterização de plasmas de corrosão são:

Temperatura dos elétrons no plasma é maior em qual descarga?

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de

Entre as principais vantagens do processo de implantação de íons, citam-se: 1) Pode ser executado em temperatura ambiente. 2) Apresenta controle preciso da profundidade de penetração do íon na amostra implantada. 3) Apresenta excelente controle da concentração de íons inseridos na amostra implantada. Quais dessas vantagens estão corretamente identificadas?

Um transistor “npn” tem uma área de emissor de 10 ?m x 10 ?m. As concentrações de dopantes são as seguintes: no emissor é igual a 10¹⁹ cm-3, na base é igual a 10¹⁸ cm^-3 e no coletor é igual a 10¹⁵ cm^-3. O transistor está operando a 27 °C e nessa temperatura a concentração de elétrons livres intrínsecos n_i = 10¹⁰ cm^-3. Para os elétrons em difusão na base, o comprimento da região de difusão é igual a 10 ?m e a constante de difusão é igual a 20 cm²/s. Para lacunas em difusão no emissor, o comprimento da região de difusão é igual a 0,6 ?m e a constante de difusão é igual a 1,8 cm²/s. Supondo que largura da base é igual a 2 ?m, pode-se afirmar que os valores da corrente de saturação e do ganho de corrente de emissor comum são iguais a, respectivamente: (nos cálculos, assuma que o valor da carga elétrica elementar é igual a 1,6 x 10^-19 C)

Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar), é correto afirmar que:

Qual deve ser o ambiente interno no implantador de íons para executar o processo?

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.

Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície. O processo de deposição ora descrito é conhecido como

No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 10²⁰ cm^-3) em lâmina de Si?

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará menos em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a menor profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

O método das quatro pontas é utilizado para

Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?